HORIBA堀場制作所 基于光發(fā)射光譜和 MWL 干涉測量法的健康監(jiān)測儀EV 2.0 Spectrometer

HORIBA堀場制作所 基于光發(fā)射光譜和 MWL 干涉測量法的健康監(jiān)測儀EV 2.0 Spectrometer

HORIBA堀場制作所 基于光發(fā)射光譜和 MWL 干涉測量法的健康監(jiān)測儀EV 2.0 Spectrometer

更多詳情咨詢：13024103468 劉經(jīng)理

為滿足使用干法蝕刻、等離子清洗和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）加工半導(dǎo)體、照明設(shè)備、汽車部件、平面顯示屏、MEMS 傳感器、存儲芯片和邏輯電子產(chǎn)品的新要求，HORIBA 推出了一款傳感器，專門用于先進(jìn)終點(diǎn)控制、故障檢測和腔室健康監(jiān)測。

EV 2.0 是一款高性能光譜儀，專為各種半導(dǎo)體原始設(shè)備制造商（OEM）和*終用戶應(yīng)用定制，包括具有自動終點(diǎn)配方創(chuàng)建功能的工藝工程，以及執(zhí)行完整終點(diǎn)和過程質(zhì)量管理的機(jī)上處理。

EV 2.0 專用于單腔室或多腔室配置下的光發(fā)射光譜（OES）或多波長干涉測量（INT）終點(diǎn)過程實時監(jiān)測。

EV 2.0 屬于 EV 產(chǎn)品家族，引入了模塊化設(shè)計。EV 2.0 適用于現(xiàn)場監(jiān)測等離子體健康、工藝穩(wěn)定性、泄漏、電弧放電和異常等離子體性能，以及檢測 OES 或 INT 配置中的終點(diǎn)。

一般特征

• 多種配置滿足您的需求
  EV 2.0 選配：

• 三種不同的軟件包

• 從低分辨率到高分辨率的多種光譜儀

• 管理光發(fā)射光譜或多波長干涉測量診斷的多種配置

• 管理單處理室或多腔室（*高 6 個處理室）的多種配置

• 了解更多適合您應(yīng)用的配置，請聯(lián)系我們。

• 傳感器管理
  利用 HORIBA 在光學(xué)和光譜學(xué)方面的優(yōu)勢，專有管理器可將多個傳感器從 OES 連接至干涉測量，并對外部集成開放。

• 用于實時監(jiān)測和終點(diǎn)檢測的 Sigma_P
  Sigma_P© 軟件允許快速配置配方，然后創(chuàng)建可靠的終點(diǎn)檢測：

• 通過基于 Windows 10 的軟件平臺，直觀的用戶交互設(shè)計允許處理光譜或直接處理波長。該軟件包含一個具有等離子體發(fā)射波長的開放庫。

• 用戶可使用配方編輯器構(gòu)建有效的配方，包括多波長算法、信號算法和過濾，以及終點(diǎn)/健康監(jiān)測條件和決策，并集成在線幫助。

• 同一界面*多可顯示 8 條曲線，同時監(jiān)測特定種演變、終點(diǎn)和腔室健康。

統(tǒng)一的設(shè)計概念允許用戶在一個流暢且易用的類似 Excel 的配方編輯器中設(shè)置配方。
通過 Sigma_P 軟件擴(kuò)展設(shè)置功能，納入多個用于特殊信號檢測和差信噪比信號檢測的兼容算法，并且始終可以擴(kuò)展。

• SQL 管理
  腔室數(shù)據(jù)庫、工具數(shù)據(jù)庫嵌入在傳感器附近，可由操作人員、配方、統(tǒng)計人員、HM/APC（健康監(jiān)測/先進(jìn)制程控制）服務(wù)器、遠(yuǎn)程制程工程師辦公室在線訪問。

• 重處理管理器回放原始數(shù)據(jù)
  允許即時回放儀器優(yōu)化的數(shù)學(xué)處理，還允許腳本自動重處理多個數(shù)據(jù)運(yùn)行，用于制程驗證、HM/APC 擴(kuò)展、參數(shù)研究。
  這些數(shù)據(jù)也可以直接發(fā)送到 HORIBA 進(jìn)行分析和優(yōu)化。

• 活動配方管理器
  擴(kuò)展允許批間、晶圓對晶圓、批對批、腔室對腔室的數(shù)據(jù)交換，以強(qiáng)化生產(chǎn)控制。

• 原位統(tǒng)計制程控制
  統(tǒng)計引擎允許配方自我計算生產(chǎn)指標(biāo)和默認(rèn)值，既可由直接用戶觸發(fā)，也可從主機(jī)或工程師工作臺觸發(fā)。

• SQL 管理
  腔室數(shù)據(jù)庫、工具數(shù)據(jù)庫嵌入在傳感器附近，可由操作人員、配方、統(tǒng)計人員、HM/APC（健康監(jiān)測/先進(jìn)制程控制）服務(wù)器、遠(yuǎn)程制程工程師辦公室在線訪問。

• 重處理管理器回放原始數(shù)據(jù)
  允許即時回放儀器優(yōu)化的數(shù)學(xué)處理，還允許腳本自動重處理多個數(shù)據(jù)運(yùn)行，用于制程驗證、HM/APC 擴(kuò)展、參數(shù)研究。
  這些數(shù)據(jù)也可以直接發(fā)送到 HORIBA 進(jìn)行分析和優(yōu)化。

• 活動配方管理器
  擴(kuò)展允許批間、晶圓對晶圓、批對批、腔室對腔室的數(shù)據(jù)交換，以強(qiáng)化生產(chǎn)控制。

• 原位統(tǒng)計制程控制
  統(tǒng)計引擎允許配方自我計算生產(chǎn)指標(biāo)和默認(rèn)值，既可由直接用戶觸發(fā)，也可從主機(jī)或工程師工作臺觸發(fā)。
  

• 自動化數(shù)據(jù)鏈路管理器
  使用中間件設(shè)計接口室、設(shè)備主機(jī)、晶圓廠主機(jī)、晶圓廠服務(wù)器的靈活性：遠(yuǎn)程控制（RS 232、TCP/IP、PIO）、SECS、HSMS、Fab LAN、Fab e-mailing 和其他協(xié)議。

• 先進(jìn)算法管理器
  強(qiáng)大的外部數(shù)學(xué)工具與本地配方數(shù)學(xué)公式編輯器和原位數(shù)學(xué)計算器的結(jié)合。

• 分布式和配置
  得益于在儀器集群化方面的豐富經(jīng)驗，這一新概念允許配置從獨(dú)立工程、集成腔室控制器直至完整多腔室的儀器。

• 健康監(jiān)測和先進(jìn)制程控制
  根據(jù) HM/APC 視覺、技術(shù)和工具，開放性設(shè)計可整合基于規(guī)則和配方集成的用戶場景。
  

• OES 配方設(shè)計器 2.0
  為簡化 OES 工程流程，無監(jiān)督 AI 機(jī)器學(xué)習(xí)可簡化 OES 工程并創(chuàng)建強(qiáng)終點(diǎn)配方。
  算法實時處理先前選擇的選定波長，然后計算（通過*小化擬合）臨時斷裂位置和斷裂強(qiáng)度。斷裂點(diǎn)代表適合的殘差方差時的統(tǒng)計擬合。當(dāng)斷裂強(qiáng)度大于預(yù)定閾值時，達(dá)到終點(diǎn)。
  
  制程工程師只需管理 4 個參數(shù)：時間窗口、波長范圍、斷裂方向（如種顯示則向上，如種消失則向下）和閾值。
  然后，配方設(shè)計器©允許自動提取包含原譜、等離子體變化特征（如實現(xiàn)的接口、雜質(zhì)檢測、發(fā)現(xiàn)的終點(diǎn)等）的相關(guān)波長, …
  隨后，一個終點(diǎn)配方被自動構(gòu)建并一鍵傳送到 Sigma_P。若無該易用且功能強(qiáng)大的工具，我們將無法接近復(fù)雜的終點(diǎn)！

• 用于干涉測量工程的動力學(xué)建模器
  根據(jù)堆積結(jié)構(gòu)（每層由其材料、厚度和蝕刻/沉積速率來表征）和所用波長得到的理論干涉曲線。允許在晶圓上進(jìn)行實際工程前獲得參考曲線。
  

EV 2.0 電腦應(yīng)用

一般特征

對于基于 OES（光發(fā)射光譜）或干涉測量（使用寬譜閃光燈光源的激光或多波長）的 CCD（電荷耦合器件），終點(diǎn)檢測主要包括三個步驟：

1. 選擇攜帶過渡信息（接口檢測）或厚度/深度/剩余厚度信息的相關(guān)波長；

2. 實時數(shù)據(jù)過濾（廣義上）和終點(diǎn)指示器構(gòu)建；

3. 一系列測試讓算法直面生產(chǎn)波動的現(xiàn)實。

為滿足這些新要求，HORIBA 開發(fā)了基于OES或干涉測量的新型傳感器（硬件和軟件），執(zhí)行適用于所有蝕刻機(jī)的終點(diǎn)檢測、故障檢測、腔室健康監(jiān)測和先進(jìn)制程控制（APC），以幫助工程師和晶圓廠管理當(dāng)前和未來的產(chǎn)品和技術(shù)。

光發(fā)射光譜：OES

EV 2.0 充分利用了 OES 技術(shù)

EV 2.0 使用光發(fā)射光譜（OES），對在紫外可見近紅外區(qū)域具有光躍遷的原子和離子發(fā)射的光譜進(jìn)行研究。OES 作為一種多用途的定性工具，是制程工程師的手段之一，無任何侵入性的等離子體微擾：

• 收集額外的相關(guān)等離子體參數(shù)，如顆粒密度（活性種、副產(chǎn)物）、電子密度、電子和離子溫度

• 了解等離子體化學(xué)、物理現(xiàn)象，并在等離子體干法蝕刻、濺射、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、清洗、失效分析等過程中控制等離子體與樣品、腔室的相互作用

• 執(zhí)行腔室鑒定試驗

• 解決工藝問題，如雜質(zhì)、泄漏、污染、工藝偏差

 憑借 EV 2.0，HORIBA 為以下行業(yè)提供了從研發(fā)到工業(yè)應(yīng)用的多功能解決方案：

• 等離子干法蝕刻和沉積的一般監(jiān)測：數(shù)據(jù)收集、分析、比較（使用內(nèi)部發(fā)射庫）、制程識別、一致性控制

• 清洗過程

• 腔室健康監(jiān)測：腔室鑒定試驗、調(diào)節(jié)、匹配和故障排除、腔室氣體純度控制和泄漏檢測、預(yù)防性維護(hù)后檢查、故障分析…

• 先進(jìn)終點(diǎn)制程控制：全自動終點(diǎn)/批間控制/故障檢測分類/健康監(jiān)測系統(tǒng)，以提高半導(dǎo)體制造的成品率和生產(chǎn)率。

• 終點(diǎn)

• 晶圓批間控制

• 接口檢測

• 制程一致性

• 低開放區(qū)域

• 盡可能減少過蝕刻，保護(hù)晶圓免受蝕刻不全

• 生產(chǎn)再現(xiàn)性

• 質(zhì)量：成品率和通過量

• 腔室健康

• 濕法清洗周期中的腔室/制程穩(wěn)定性控制

• 等離子體光譜監(jiān)測

• 腔室指紋圖譜、管道、定量比較的參考（庫）

• 工藝漂移、趨勢分析

• 超大信號檢測

• 預(yù)防性維護(hù)

• 減少工具停機(jī)時間

• HORIBA 為 WIN10 PRO、64 位電腦提供專用于 OES 監(jiān)測和終點(diǎn)檢測的 HORIBA 軟件
  

• 關(guān)鍵附加組件:配方設(shè)計器2.0，以簡化終點(diǎn)檢測和工藝流程
  

干涉測量：INT

EV 2.0 INT 提供實時準(zhǔn)確可靠的厚度/深度信息

除等離子體外，樣品信息也很復(fù)雜。EV 2.0 INT（LEM-CT）安裝在任何可直接俯視晶圓的處理室上，可獲得光學(xué)半透明多層結(jié)構(gòu)的局部信息。可實時監(jiān)測蝕刻速率和蝕刻厚度，為各制程提供增強(qiáng)的工藝控制。此外，接口可通過其反射率的變化來檢測。

由于采用干涉測量技術(shù)，EV 2.0 INT 非常適合蝕刻/沉積速率監(jiān)測和終點(diǎn)檢測，可對條紋計數(shù)、膜厚、溝槽深度、接口等進(jìn)行高精度檢測…

• 單色光照射到樣品表面時會發(fā)生干涉，由于薄膜的厚度和高度變化，會導(dǎo)致不同的光程長度。

• HORIBA 為 WIN10 PRO、64 位電腦提供專用于干涉監(jiān)測和終點(diǎn)檢測的 HORIBA 軟件