HORIBA堀場(chǎng)制作所 等離子體發(fā)射控制器
- 產(chǎn)品名稱：HORIBA堀場(chǎng)制作所 等離子體發(fā)射控制器
- 產(chǎn)品型號(hào)：RU-1000C-01/02
- 產(chǎn)品廠商：HORIBA堀場(chǎng)制作所
- 產(chǎn)品文檔：
HORIBA堀場(chǎng)制作所 等離子體發(fā)射控制器
的詳細(xì)介紹HORIBA堀場(chǎng)制作所 等離子體發(fā)射控制器RU-1000C-01/02
HORIBA堀場(chǎng)制作所 等離子體發(fā)射控制器RU-1000C-01/02
HORIBA堀場(chǎng)制作所 等離子體發(fā)射控制器RU-1000C-01/02
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HORIBA 開發(fā)的光學(xué)技術(shù)和 HORIBA STEC 提供的氣體控制技術(shù)相結(jié)合，使等離子體控制技術(shù)取得了進(jìn)一步的發(fā)展。RU-100 等離子體發(fā)射控制器通過控制過渡區(qū)，優(yōu)化大面積、高容量腔室內(nèi)的等離子體分布，確保長(zhǎng)濺射過程中的等離子體穩(wěn)定化（穩(wěn)定沉積）以及用于反應(yīng)濺射的化合物的混合優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更快的沉積速率。
概要
優(yōu)點(diǎn)
快速且高度可靠的反饋控制
RU-1000 等離子體發(fā)射控制器利用新開發(fā)的算法執(zhí)行快速和高度可靠的反饋控制客戶可以更改 PID 值，因此可以針對(duì)特定條件優(yōu)化設(shè)置
等離子體發(fā)射的優(yōu)異信噪比特性
使用準(zhǔn)直器和其他光學(xué)元件進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，以準(zhǔn)確測(cè)量等離子體發(fā)射的光量的微小變化
特殊的用戶友好軟件
該特殊軟件的設(shè)計(jì)考慮了客戶的需求，確保**的可操作性。HORIBA 還可以根據(jù)客戶需求開發(fā)定制軟件。
特征
RU-1000 等離子體發(fā)射控制器可在大表面積基板上實(shí)現(xiàn)出色的沉積空間分布。
反應(yīng)濺射用于在觸控面板的薄膜和玻璃基板上進(jìn)行薄膜沉積。該方法用于通過濺射顆粒和氧氣、氮?dú)饣蝾愃莆镌谡婵帐抑械幕瘜W(xué)反應(yīng)形成沉積膜。薄膜沉積在反應(yīng)模式和金屬模式之間的過渡區(qū)域顯著加速，金屬模式的薄膜沉積速率更快。該過渡區(qū)域可通過調(diào)節(jié)等離子體發(fā)射強(qiáng)度和電源來控制反應(yīng)氣體來維持。
RU-1000 等離子體發(fā)射控制器將薄膜沉積速率加快到與金屬模式相當(dāng)?shù)乃俾?，并在大表面積基板上實(shí)現(xiàn)出色的沉積分布。該裝置捕獲從光電倍增管裝置（PMT）和等離子體電源傳輸?shù)拇淼入x子體狀態(tài)的信號(hào)，并采用 HORIBA STEC 編寫的算法來控制同樣由該公司開發(fā)的高響應(yīng)質(zhì)量流量控制器。
控制反應(yīng)氣體的流量以維持金屬模式和反應(yīng)模式之間的過渡區(qū)域。
HORIBA STEC制造的新型控制技術(shù)應(yīng)用于等離子發(fā)射檢測(cè)和氣流控制。
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檢測(cè)特定波長(zhǎng)的等離子體發(fā)射強(qiáng)度 設(shè)計(jì)用于捕獲等離子體發(fā)射的 PMT 裝置可以直接安裝在真空室中。等離子體發(fā)射可以通過光纖從真空室引導(dǎo)到 PMT 裝置?？筛鶕?jù)情況選擇任一選配。 |
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| 2. |
執(zhí)行質(zhì)量流量控制器的反饋控制 一個(gè)控制器可以控制多達(dá)四個(gè) PMT 裝置和四個(gè)質(zhì)量流量控制器?？刹东@來自等離子體電源的信號(hào)，而非來自 PMT 裝置的信號(hào)。 |
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支持各種陰極條件 我們編寫的原始算法實(shí)現(xiàn)了與 Al2O3 的出色反應(yīng)濺射，而能實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)非常困難。該軟件還驗(yàn)證了旋轉(zhuǎn)陰極的穩(wěn)定性能。 |
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| 4. |
對(duì)等離子體發(fā)射的變化高度敏感 高速響應(yīng)質(zhì)量流量控制器對(duì)于在監(jiān)測(cè)等離子體發(fā)射變化的同時(shí)控制反應(yīng)氣體至關(guān)重要。HORIBA STEC 在半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器生產(chǎn)中占有一定的市場(chǎng)份額*，公司致力于為每個(gè)系統(tǒng)提供上等的質(zhì)量流量控制器。 |
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* 根據(jù) HORIBA STEC 在 2014 年進(jìn)行的調(diào)查
適用范圍
真空室的條件控制
與功能薄膜或功能基板的反應(yīng)濺射在長(zhǎng)時(shí)間的連續(xù)制程中進(jìn)行。穩(wěn)定的薄膜沉積過程需要實(shí)時(shí)測(cè)量改變真空室內(nèi)的條件和等離子體發(fā)射，以及根據(jù)變化程度適當(dāng)控制引入的反應(yīng)氣體的流速。
任何用于多層膜沉積的工藝都需要根據(jù)滾動(dòng)和傳送速度增加對(duì)每層膜的沉積速率的控制。
RU-1000 監(jiān)測(cè)等離子體電源阻抗的電壓信號(hào)和等離子體發(fā)射的強(qiáng)度?；诒O(jiān)控信號(hào)對(duì)質(zhì)量流量控制器的反饋
幫助制造商將等離子體發(fā)射控制在應(yīng)有水平，從而提高生產(chǎn)率。
用于制程優(yōu)化的流量控制器和等離子儀器
使用一組系統(tǒng)測(cè)量和控制真空室內(nèi)的條件。通過監(jiān)控真空室內(nèi)的條件并保持適合濺射工藝，確保穩(wěn)定生產(chǎn)并提高生產(chǎn)率。
用于測(cè)量腔室內(nèi)微量殘余氣體的系統(tǒng)緊湊型 MICROPOLE 系統(tǒng)包括一個(gè)具有出色可操作性的控制器，可輕松安裝到您當(dāng)前使用的鍍膜系統(tǒng)上。系統(tǒng)還提供其他選配功能，例如一次連接多臺(tái)電腦，以及用于分析腔室內(nèi)殘余氣體狀況的軟件。 |
一種用于汽化添加到沉積制程中的微量水和液體材料的系統(tǒng)據(jù)信，在沉積制程中，通過向腔室中添加微量的汽化水（H2O）可增強(qiáng)功能薄膜的功能性。 |
一種用于沉積制程中等離子體發(fā)射分析的系統(tǒng)CCD 檢測(cè)器可以同時(shí)測(cè)量 200 至 800 nm 的寬范圍波長(zhǎng)，*小捕獲時(shí)間為 20 ms，*大分辨率為 2 nm。 |
